在硅晶圆制造过程中，利用温度测量的优势，CHINO公司一直致力于推广温度控制与管理技术的使用，包括非接触式辐射温度计。这些设备通常用于从硅熔体中拉拔柱状单晶锭。
硅的熔点约为1410°C。拉拔过程中，哪怕局部温度出现微小下降，单晶锭内部就可能产生裂纹。公司建议在设备的专用窗口安装多个温度计，以确认温度均匀性。
IR-CZ系列辐射温度计
IR-CZ系列低温高速辐射测温仪采用无翼无斩波的光接收元件来捕获辐射能量，从而实现高速测量。该 系列拥有对应各种温度测量的5个机型，涵盖低中温到高温、超高温范围，可实现从低温到超高温的稳定测量。同时通过重新设计光学系统，使得能量能够更高效地被收集，还实现了高精度与3年长期稳定性，温度显示始终维持在精度范围内。
IR-CZ系列是一种自包含式固定式辐射温度计，配备数字温度显示，并具备外部输出功能。日本CHINO的IR-CZ系列辐射温度计通过追踪金属-碳共晶点，实现了在高温范围内的极高精度测量。作为单色型，其测量范围可达500℃或更高。
它还具有在高温连续测量下的稳定性提升，以及在低温范围内的分辨率增强。
IR-CZ系列辐射温度计
温度测量的重要性
随着对下一代功率半导体的需求预计将大幅提升，据相关预测，到2035年碳化硅(SiC)功率模块市场规模预计将增长至18749亿日元，较2025年增长5.3倍；氮化镓(GaN)功率半导体市场预计将增长至3169亿日元，较2025年增长5.4倍。这类先进材料的熔点高于硅，并且预计晶圆尺寸会增加。这些都需要新的测量知识。
随着半导体微型化的发展，制造过程中对温度控制的要求越来越严苛。在电路图形形成和蚀刻过程中，使用铂基传感器，即电阻温度计球。在半导体制造中日益普及的A级精度要求下，精度标准为±0.15+0.002´T，其中T表示温度（°C）。在此级别中，在100°C时，测量误差范围为±0.35°C，与传统热电偶相比，精度极高。
在半导体需求和先进技术的推动下，低温范围内的先进微加工和制造产生了对高精度温度测量的大量需求。据相关数据显示，全球晶圆温度测量市场规模预计将从2025年的1.91亿美元增长到2033年的2.85亿美元，复合年增长率为5.13%，其中中国非接触式晶圆温度测量设备市场2023年规模达到45亿元人民币，同比增长15%，预计2026年将扩大至63亿元人民币。这些高精度温度测量系统在半导体制造的蚀刻等关键工艺期间不可或缺，半导体制造对温度控制要求极为严格，通常要求在±0.1℃甚至更高的精度范围内，传统的热电偶正逐渐被新型温度计所取代。
电阻温度计球体因微型化而变得越来越受欢迎。
根据世界集成电路协会和世界半导体贸易统计组织的数据，2026年全球半导体市场规模将突破9000亿美元（约合6.14万亿元人民币），同比增长15.8%，行业已触底反弹进入“硅周期”上行阶段。为应对这一半导体产量不断增加的趋势，目前正在试用温度计，预计未来将全面推广。
半导体工厂也使用各种气体。控制连接到现场的管道以及储存期间的温度非常重要。这是因为储存与现场之间的温度损失会影响产品的质量。事实上，如果气体进入冷管道，它会结晶并导致管道堵塞。
Chino计划今年夏天推出一款管道温度控制单元。这是一款集成式控制器，采用紧凑轻便的控制元件（SSR）。该产品将面向设备制造商与燃气供应厂商推广应用。
Chino 获得了日本校准服务体系的温度测量认证，凭借其可靠性很可能会被选中。
