日本Novel Crystal Technology总部设立于日本埼玉县狭山市，是全球首家专注 β 型氧化镓单晶衬底、外延晶圆研

发量产的企业，由田村制作所相关氧化镓研发团队独立拆分创立，同时联合日本多家科研机构完成核心晶体生长技术落地。企业完整打通氧化镓单晶熔融生长、衬底精密加工、外延薄膜沉积与功率器件试样制备全链条业务，依托导模法与滴料生长两种核心单晶制备工艺，面向新能源功率器件、紫外探测、电力传输设备提供衬底材料。企业配套提供晶体定向、双面抛光、掺杂调控、外延工艺匹配等全流程技术支持，同时开展氧化镓功率二极管原型器件开发，适配车载、工业高压变电、光伏逆变器等新一代低损耗电力装备研发场景。

Novel Crystal Technology 氧化镓单晶衬底分为科研小尺寸样片、量产级标准晶圆两大类别，全部采用导模法熔融生长制备单晶基体，主流晶向包含零一零与零零一两种，掺杂体系分为锡掺杂硅掺杂两类 n 型导电衬底以及铁掺杂半绝缘衬底，适配外延生长与器件制备不同需求。TO10U1015 与 TO10SN1015 属于微型科研衬底，尺寸为方形小片，适合实验室基础薄膜沉积与材料物性测试；TO01SN02、TO01SN1016 分别对应两英寸、四英寸量产圆形晶圆，可提供单面抛光与双面抛光两种表面加工形态，载流子浓度、晶体半高宽、表面粗糙度均可按照客户指标调整。企业同步推进六英寸大尺寸衬底样品试制供货，采用新一代低成本滴料生长工艺降低单晶制造成本，配套同规格氧化镓外延片产品，外延层厚度可根据器件需求定制调整，覆盖十微米至五十微米常规区间，超薄外延试样也可按需定制。整套衬底产品可单独裸片交付，也可搭配配套外延加工服务，客户能够依据产线晶圆规格、器件耐压设计、外延生长设备工况挑选对应尺寸、晶向、掺杂类型的衬底，企业同步提供晶体质量检测、衬底表面处理、外延工艺参数适配、器件流片方案规划相关技术指导。

日本Novel Crystal Technology公司主要产品型号如下，欢迎咨询选购：

一、β-Ga₂O₃单晶衬底

TO10U1015 未掺杂方形科研衬底

TO10SN1015 锡掺杂方形科研衬底

TO01SN508 两英寸硅掺杂衬底

TO01SN1016 四英寸硅掺杂衬底

六英寸 β-Ga₂O₃试制衬底

Fe 掺杂半绝缘氧化镓衬底

Sn 掺杂导电氧化镓衬底

二、β-Ga₂O₃ HVPE 外延晶圆

两英寸 HVPE 氧化镓外延片

四英寸 HVPE 氧化镓外延片

方形小片 HVPE 外延试样

三、β-Ga₂O₃ MBE 外延晶圆

MBE 超薄氧化镓外延片

方形样品 MBE 外延片

四、氧化镓原型功率器件

β-Ga₂O₃肖特基势垒二极管 SBD 试样

五、衬底加工形态品类

单面抛光氧化镓衬底

双面抛光氧化镓衬底

定向滚圆成品衬底

六、适配应用场景

车载高压功率半导体器件

光伏储能逆变器功率芯片

工业高压变电、轨道交通电力模块

深紫外光电探测传感器研发

高校科研院所材料基础实验

七、配套技术服务

1. 氧化镓衬底晶向、掺杂类型选型匹配

2. 单晶晶体质量、表面粗糙度定制加工

3.HVPE、MBE 外延生长工艺适配指导

4. 衬底晶体缺陷、电学性能检测报告出具

5. 氧化镓功率器件原型流片方案设计

6. 大尺寸氧化镓晶圆联合开发技术合作

其他注意事项：

更详细的技术资料需通过提供项目详情获取，欢迎咨询。

我公司自营进出口权，直接海外采购，国外现货航空件几天就能交到您的手中。