美国Lam Research集团总部设立于美国加利福尼亚州，是全球半导体干法刻蚀领域头部设备厂商，深耕集成电路制造等离子工艺多年，产品线覆盖全制程刻蚀设备、配套工艺腔体与智能控制系统。企业围绕逻辑芯片、存储芯片、功率器件、先进封装、MEMS 器件打造完整刻蚀工艺方案，依托等离子精密调控、原子级轮廓控制、高选择比工艺核心技术，适配从成熟制程到超先进节点的各类图形化加工需求。设备内置智能工况监测体系，兼顾大批量量产产能与纳米级形貌精度，同时配套腔体工艺开发、缺陷溯源、设备维保、工艺迭代升级等全周期技术服务，为晶圆厂提供一体化刻蚀工艺解决方案。
泛林半导体刻蚀设备按照工艺用途分为介电刻蚀、导体刻蚀、深硅 DRIE 深刻蚀、金属互连刻蚀、选择性原子层刻蚀、晶圆边缘处理、等离子去胶七大产品主线，各系列腔体可搭载低温、脉冲等离子、终点检测等拓展工艺模块。Flex 系列介电刻蚀机作为成熟存储产主力机型，兼容常规介电通孔与低温高深宽比加工需求，Flex ALE 型号可完成原子层级精准去除；Vantex 基于新一代 Sense.i 智能平台打造，搭配 Cryo 低温套件，面向超高堆叠层数 3D NAND、先进 DRAM 电容等高深宽比孔洞刻蚀，大幅改善孔洞扭曲、锥度偏差等工艺问题。Kiyo 导体刻蚀系列专注硅、多晶硅、栅极导电层图形加工，C 系列适配成熟逻辑，E 系列面向先进 FinFET 与 GAA 器件，Akara 是新一代导体刻蚀平台，实现埃级关键尺寸均匀性控制。Syndion 深硅刻蚀依靠交替钝化 DRIE 工艺，C 型号适配通用 MEMS，F 系列用于先进封装 TSV 硅通孔，GP 机型针对宽禁带功率器件深沟槽开发。Versys 金属刻蚀分为 L、M、N 三个子系列，分别对应后端铝铜互连、金属硬掩模、超先进节点金属栅刻蚀。Selis 选择性刻蚀腔体可实现各向同性精准材料去除，Coronus 专用于晶圆斜角边缘残渣清理，Gamma 为独立等离子去胶设备。产线搭配可按器件类型选型，3D NAND 存储优先 Flex 或 Vantex 低温机型，逻辑晶体管选用 Kiyo/Akara，功率与封装 TSV 选用 Syndion，后端金属互连采用 Versys 系列，企业同步提供腔体升级、工艺配方调试、良率优化等配套技术支持。
美国Lam Research公司主要产品型号如下，欢迎咨询选购：
一、等离子刻蚀设备
介电质高深宽比刻蚀系统
Flex G Series 量产型高深宽比介电刻蚀系统
Flex Cryo 低温高深宽比刻蚀升级机型
Vantex 基础型 Sense.i 平台介电刻蚀腔体
Vantex + Cryo 3.0 第三代低温高深宽比刻蚀系统
导体 / 硅刻蚀系统
Kiyo C Series 导体刻蚀腔体
Kiyo E Series 先进导体刻蚀腔体
Akara 新一代晶体管导体刻蚀系统
深硅 DRIE 刻蚀系统（TSV、功率器件、MEMS）
Syndion C 通用深硅刻蚀腔体
Syndion F Series 先进封装 TSV 刻蚀机型
Syndion G Series 功率器件深沟槽刻蚀平台
Syndion GP 新一代功率半导体高深宽比沟槽刻蚀系统
金属刻蚀系统
Versys Metal L 系列 后端金属互连刻蚀设备
Versys Metal M 系列 金属硬掩模刻蚀设备
Versys Metal N 系列 先进节点金属刻蚀平台
选择性刻蚀与原子层刻蚀
Selis 选择性等离子刻蚀系统
Flex ALE 原子层刻蚀腔体
晶圆边缘斜角处理系统
Coronus 晶圆边缘等离子刻蚀 / 沉积一体机
Coronus DX 高端晶圆边缘处理机型
EOS 晶圆背面薄膜刻蚀系统
去胶腔体
Gamma 独立式等离子去胶系统
二、薄膜沉积设备
PECVD 介电薄膜沉积系统
VECTOR TEOS 氧化层沉积平台
VECTOR AHM 氮化硅沉积机型
VECTOR MD 多功能介电沉积系统
VECTOR Strata 3D NAND 多层堆叠沉积系统
VECTOR DT 晶圆背面应力补偿沉积机型
HDP-CVD 高密度等离子沉积系统
SPEED Max 高深宽比间隙填充沉积设备
CVD/ALD 钨金属化沉积系统
ALTUS Max 钨填充沉积平台
ALTUS Max ExtremeFill 高深宽比通孔填充机型
ALTUS Max ICEFill 3D NAND 字线沉积系统
ALTUS DirectFill Max 钼金属化沉积系统
ALTUS LFW 低应力钨沉积机型
ALD 原子层沉积系统
Striker 介电质原子层沉积腔体
三、湿法工艺与电化学沉积设备
单晶圆湿法清洗平台
Da Vinci 旋转式单片清洗系统
DV-Prime 多功能湿法清洗 / 去胶平台
电镀与湿法处理平台
Triton 单晶圆电化学电镀与湿法处理系统
Kallisto 大基板垂直电化学沉积平台
Phoenix 面板级扇出封装湿法处理系统
四、配套工艺模块
Cryo 3.0 低温高深宽比刻蚀工艺套件
脉冲等离子轮廓控制模块
终点检测模组
Equipment Intelligence 整机工艺实时监控系统
五、真空传输与硬件组件
EFEM 晶圆真空传输平台
高精度静电吸盘
可温控晶圆基座
等离子体诊断传感单元
高精度气体混配与流量控制系统
六、工艺仿真与软件平台
SEMulator3D 半导体三维工艺仿真软件
OverViz 等离子工艺仿真软件
工艺配方智能优化系统
量产良率数据分析平台
七、配套技术服务
1. 刻蚀、沉积设备机型选型与产线布局规划
2. 高深宽比通道孔、功率沟槽、TSV 工艺开发调试
3.Cryo 低温刻蚀、ALE 原子层刻蚀腔体升级改造
4. 薄膜间隙填充、金属化互连工艺良率优化
5. 腔体定期保养、备件更换、硬件迭代升级
6. 工艺偏移诊断、缺陷溯源分析支持
7. 操作人员设备实操与半导体工艺培训
其他注意事项：
更详细的技术资料需通过提供项目详情获取，欢迎咨询。
我公司自营进出口权，直接海外采购，国外现货航空件几天就能交到您的手中。
