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中国台湾GlobalWafers公司及SOI硅片产品介绍
2026-08-10
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中国台湾GlobalWafers是全球规模领先的半导体硅片专业制造厂商,整合多家区域晶圆制造基地形成全球化生产布局,产品覆盖单晶硅棒、各类硅抛光片、外延片、退火片、扩散片、SOI 绝缘层硅片以及碳化硅、氮化镓等化合物半导体衬底,完整覆盖从小尺寸到十二英寸全规格晶圆品类。企业自研键合式 SOI 制备工艺,针对射频芯片、功率器件、MEMS 传感器、图像传感器、光子芯片不同应用场景开发差异化 SOI 产品,可灵活调整顶层硅膜、埋氧化层、基底衬底厚度与掺杂类型,同时配套晶圆定制加工、表面精密处理、电性参数调校全链条技术服务,面向通信、车载、工业、医疗、先进逻辑芯片客户提供标准化与客制化晶圆材料。


中国台湾GlobalWafers SOI 硅片整体分为厚膜功率型 SOI、射频高阻 SOI、CTL 带电荷捕获层 SOI、超薄全耗尽 CMOS SOI 四大主线,全部采用无台阶键合工艺生产,消除晶圆边缘未键合区域带来的加工限制,兼容六英寸、八英寸、十二英寸主流产线设备。厚膜功率 SOI 系列顶层硅膜厚度区间跨度大,埋氧化层厚度可按需调整,搭配高低阻基底衬底,适配高压功率器件、加速度与压力类 MEMS 三维结构传感器,刻蚀过程中埋氧化层可作为精准停止层,大幅提升器件良率;射频高阻 SOI 配套超高电阻率基底衬底,抑制射频信号寄生损耗,面向手机射频开关、毫米波通信前端芯片开发,基底掺杂纯度经过特殊管控降低信号噪声;CTL 改良 SOI 在传统埋氧化层下方增设电荷捕获薄层,减少器件漏电与阈值漂移,适合长期稳定工作的车载射频、工业传感芯片;超薄 FD-SOI 顶层硅膜控制至纳米级薄规格,适配低功耗先进逻辑、CMOS 图像传感器,实现超低漏电流与动态调压性能,全系衬底晶向可按需切换 N 型、P 型掺杂,基底厚度、膜厚均匀度、氧化层公差均提供标准规格与客制微调方案,功率器件与 MEMS 优先选用厚膜 SOI,无线通信射频芯片选用高阻 RF SOI,车载长期稳定器件选用 CTL SOI,先进低功耗逻辑与影像传感器选用超薄 FD-SOI。




中国台湾GlobalWafers公司主要产品型号如下,欢迎咨询选购:




一、硅抛光片 Polished Wafer

直拉 CZ 抛光晶圆

ECAS 标准定制抛光晶圆

无 COP 缺陷高端抛光晶圆

8 英寸 NTD 中子嬗变掺杂抛光晶圆

双面抛光晶圆(探测器 / MEMS 专用)

区熔 FZ 抛光晶圆

PFZ 优选区熔功率晶圆

6 英寸 FZ 区熔抛光晶圆

8 英寸 FZ 区熔抛光晶圆

特殊结构晶圆

Taiko 减薄边缘晶圆


二、退火晶圆 Annealed Wafer

Hi-WAFER® 氢退火晶圆

Hyper Hi-WAFER® 高阶氢退火晶圆

AT-Wafer 氩气退火晶圆


三、外延晶圆 Epitaxial Wafer

通用掺杂外延片

N/N + 重掺砷 / 锑 / 磷外延片

P/P + 重掺硼外延片

N/P 反向结构外延片

定制特种外延片

本征 / 准本征层外延晶圆

渐变掺杂轮廓外延晶圆

超厚单层外延晶圆

超厚多层堆叠外延晶圆

超高阻基底外延晶圆


四、扩散晶圆 Diffused Wafer

N-/N + 功率扩散晶圆

P-/P + 功率扩散晶圆

N-/P + 高压器件扩散晶圆


五、SOI 绝缘层硅片

厚膜功率 MEMS SOI

TW-SOI-P6 6 英寸功率 SOI

TW-SOI-P8 8 英寸功率 SOI

TW-SOI-P12 12 英寸功率 SOI

射频高阻 RF SOI

TW-SOI-RF6 6 英寸射频 SOI

TW-SOI-RF8 8 英寸射频 SOI

TW-SOI-RF12 12 英寸射频 SOI

CTL 电荷捕获稳定型 SOI

TW-SOI-CTL6 6 英寸 CTL SOI

TW-SOI-CTL8 8 英寸 CTL SOI

TW-SOI-CTL12 12 英寸 CTL SOI

超薄 FD 全耗尽 SOI

TW-SOI-FD8 8 英寸 FD-SOI

TW-SOI-FD12 12 英寸 FD-SOI


六、非抛光硅片 Non-Polished Wafer

切割硅片 As-Cut Wafer

研磨晶圆 Lapped Wafer

蚀刻晶圆 Etched Wafer


七、宽禁带化合物半导体衬底

碳化硅 SiC 晶圆

4 英寸 SiC 抛光晶圆(射频器件)

6 英寸 SiC 抛光晶圆(高压功率器件)

半绝缘型 SiC 衬底晶圆

氮化镓外延衬底

GaN on Si 硅基氮化镓外延衬底

GaN on SiC 碳化硅基氮化镓衬底


八、晶圆配套定制加工服务

SOI 顶层硅膜厚度精密研磨定制

SOI 埋氧化 BOX 层厚度调校

晶圆背面氧化、背面抛光定制加工

晶圆电阻率电性参数校准

晶圆边缘无台阶键合处理


九、尺寸规格划分(全品类通用)

3 英寸硅晶圆

4 英寸硅晶圆

6 英寸硅晶圆

8 英寸硅晶圆

12 英寸硅晶圆



其他注意事项:

更详细的技术资料需通过提供项目详情获取,欢迎咨询。

我公司自营进出口权,直接海外采购,国外现货航空件几天就能交到您的手中。


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