法国Soitec 是源自法国的半导体工程衬底龙头企业，企业依托独有的晶圆剥离转移核心工艺，专注开发各类绝缘体上硅以及其他异质集成半导体衬底，面向全球晶圆厂与芯片设计企业提供高性能衬底材料，产品广泛应用于汽车电子、无线通信、传感器、功率器件等诸多半导体赛道，同时持续开展新材料衬底的研发，为各类芯片平台提供差异化的基底解决方案。
法国Soitec的 FD‑SOI 全耗尽绝缘体上硅晶圆分为通用消费电子版本、汽车级高可靠版本、射频增强版本以及面向前沿研发的特种定制版本，其中 eSoC.1 为第一代通用 FD‑SOI 衬底，拥有均匀的顶层硅与埋氧化层，适合低功耗物联网、可穿戴设备芯片的开发，eSoC.2 为第二代 FD‑SOI 衬底，在薄膜均匀性与缺陷控制上进一步优化，适配主流的先进工艺节点，OCEAN12 属于汽车专用 FD‑SOI 衬底，强化了抗辐射与高温工况耐受能力，满足车载芯片严苛的可靠性要求，HR‑FD‑SOI 是高阻基底的射频优化型号，衬底漏电更低，非常适合射频模拟与数模混合芯片，28Si 特种 FD‑SOI 为面向量子芯片研发的定制化衬底，对硅层的杂质控制提出更高标准，同时企业也可以根据客户的实际需求调整顶层硅厚度、埋氧化层厚度以及基底电阻率，所有 FD‑SOI 晶圆依靠超薄顶层硅与埋氧化层结构实现晶体管全耗尽工作模式，具备背偏调控能力，能够兼顾低功耗、噪声隔离与射频性能，既可以用于量产芯片的制造，也可以支撑前沿芯片技术的研发验证，适配消费电子、车载器件、无线通信以及前沿科研等多种应用场景。
法国Soitec公司主要产品型号如下，欢迎咨询选购：
一、FD‑SOI 全耗尽绝缘体上硅晶圆
1.eSoC.1 通用消费电子 FD‑SOI 衬底
2.eSoC.2 第二代高性能 FD‑SOI 衬底
3.OCEAN12 汽车级高可靠 FD‑SOI 衬底
4.HR‑FD‑SOI 射频高阻 FD‑SOI 衬底
5.28Si 量子器件特种 FD‑SOI 衬底
6. 客户定制 FD‑SOI 衬底
二、RF‑SOI 射频绝缘体上硅晶圆
1.RF‑SOI‑U 基础射频衬底
2.RF‑SOI‑HR 高阻射频衬底
3.RF‑SOI‑A 汽车射频专用衬底
4. 毫米波增强型 RF‑SOI 衬底
三、Power‑SOI 功率绝缘体上硅晶圆
1.Power‑SOI‑S 标准功率衬底
2.Power‑SOI‑A 汽车功率器件衬底
四、POI 压电绝缘衬底
1.LT6‑MHB 钽酸锂 POI 衬底
2.LT6‑LB 钽酸锂 POI 衬底
3.LN6 铌酸锂 POI 衬底
4.LT8‑MHB 大尺寸钽酸锂 POI 衬底
5.LT8‑LB 大尺寸钽酸锂 POI 衬底
五、Photonics‑SOI 硅光光子衬底
1.P‑SOI‑H 高耦合硅光衬底
2.P‑SOI‑T 薄型硅光衬底
六、SmartSiC 碳化硅复合衬底
1.SmartSiC‑200 大尺寸碳化硅衬底
2.SmartSiC‑150 碳化硅衬底
七、Imager‑SOI 图像传感器衬底
1.IM‑SOI‑V 可见光图像传感器衬底
2.IM‑SOI‑IR 红外图像传感器衬底
八、PD‑SOI 部分耗尽 SOI 衬底
1.PD‑SOI‑STD 通用逻辑器件衬底
九、RF‑GaN 氮化镓复合晶圆
1.RF‑GaN‑H 射频氮化镓晶圆
十、技术与定制服务
1.Smart Cut 晶圆键合剥离工艺定制
2. 异质集成复合衬底定制开发
3. 衬底规格参数定制服务
其他注意事项：
更详细的技术资料需通过提供项目详情获取，欢迎咨询。
我公司自营进出口权，直接海外采购，国外现货航空件几天就能交到您的手中。
